3D XPoint или как Intel возродила проект «фазовой памяти» 1970 года?

3D XPoint или как Intel возродила проект «фазовой памяти» 1970 года?

В начале своей деятельности компания Intel выпускала чипы вычислительных и запоминающих устройств.

Но по прошествии нескольких лет её руководство, боясь конкуренции в сфере памяти со стороны японских производителей, решило сосредоточиться на производстве микропроцессоров, а от ЗУ отказаться. Однако в истории компании сохранилось воспоминание о разработанной в далеком 1970 году одним из ее отцов-основателей Гордоном Муром технологии запоминающих устройств на основе фазовых переходов типа «аморфное состояние – кристаллическое состояние», происходящих в халькогенидных материалах под воздействием импульсов электрического тока. И вот почти через полвека (в 2008 году) Intel реализовала на практике теоретические изыскания своего родоначальника, выпустив опытную партию ЗУ, в которых используется эффект фазовых переходов.

Возможно, этот поворот «к прошлому» был инициирован многочисленными исследованиями, проведенными в последнее десятилетие и в лабораториях университетов, и в крупных компаниях, производящих микросхемы памяти. И эти исследования показали перспективность перехода от современных технологий NAND- и DRAM-памяти к «фазовой памяти». Тем более что в каждой ячейке устройств с «фазовой памятью» может храниться три бита информации, что позволяет производить ЗУ более компактными, по сравнению с «двухбитовыми» ячейками, используемыми во всех современных ЗУ.

В гонку за первенство в производстве «фазовой памяти» включился еще один гигант полупроводниковой индустрии – компания IBM, выпустившая в мае текущего года свои первые образцы. А Intel запланировала запуск в коммерческое производство твердотельных накопителей с «фазовой памятью» не позднее чем через полгода.

Новые твердотельные накопители будут выпускаться по технологии, названной ее создателями (Intel и Micron Technology) 3D XPoint. Партнеры-разработчики заявили, что их детище характеризуется скоростями записи и считывания информации на три порядка более высокими, чем у флеш-памяти типа NAND, при этом превосходя современный аналог по показателю «жизненного ресурса» почти в тысячу раз.

См. также:

Добавить комментарий